Tag Archives: dram

Samsung กำไรรายไตรมาสลดลง 25% ครั้งแรกในรอบสามปี

ผลประกอบการในช่วงไตรมาสที่ 3 ของ Samsung อาจร่วงลงกว่า 25% สืบเนื่องมาจากภาวะเศรษฐกิจโลกที่ตกต่ำซึ่งส่งผลกระทบต่อความต้องการในส่วนของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และชิปที่ลดลงตามไปด้วย  

Read More »

Samsung เปิดตัว LPDDR5X ชิปแรมสำหรับอุปกรณ์ 5G, AI และ Edge Device

Samsung เปิดตัว LPDDR5X ชิปแรมประหยัดพลังงานสำหรับอุปกรณ์ 5G, AI และ Edge Device

Read More »

ผู้พัฒนา NAND เผยเทคโนโลยีใหม่ที่จะมาแทนที่ DRAM

ผู้พัฒนา NAND เปิดเผยรายละเอียดเทคโนโลยีใหม่ Dynamic Flash Memory (DFM) ที่จะมาแทนที่ DRAM ในอนาคต

Read More »

เปิดตัว Intel Optane DC Persistent Memory ใหม่ ความจุ 128GB, 256GB และ 512GB

Intel ได้ประกาศเปิดตัว Intel Optane DC Persistent Memory ทำงานบนสถาปัตยกรรมแบบใหม่อยู่ระหว่าง DRAM และ SSD มีความจุตั้งแต่ 128GB, 256GB และ 512GB

Read More »

Microsoft จับมือ Rambus พัฒนา RAM แห่งอนาคต ทำงานได้ที่อุณหภูมิ -180 องศาเซลเซียส

Microsoft ได้ประกาศความร่วมมือกับ Rambus ในการพัฒนาเทคโนโลยีสำหรับรองรับ Cryogenic Computing หรือการประมวลผลที่อุณหภูมิระดับต่ำ โดยในที่นี้คือการพัฒนา DRAM แบบใหม่ที่ทำงานได้ภายใต้อุณหภูมิ -180 องศาเซลเซียสนั่นเอง

Read More »

Intel ประกาศ เตรียมพบกับ DDR5 DRAM ได้ในปี 2020

ภายในงาน Intel Developer Forum (IDF) ที่กำลังจัดขึ้นนี้ ทาง Intel ได้ออกมาเปิดเผยถึงเทคโนโลยี DDR5 DRAM ที่จะเริ่มเปิดเผยสเป็คกันภายในปีนี้ และเริ่มผลิตวางจำหน่ายสู่ตลาดภายในปี 2020 เป็นการหักปากกาของเหล่านักวิเคราะห์ทั่วโลกที่เคยทำนายกันเอาไว้ว่า DDR4 จะเป็นเทคโนโลยีสุดท้ายของ DRAM

Read More »

กำเนิด Yangtze ผู้ผลิตชิปสัญชาติจีนด้วยทุนจดทะเบียน 99,589 ล้านบาท พัฒนา 3D NAND และ DRAM

เป็นอีกก้าวที่น่าจับตามองจากประเทศจีนมาก เมื่อรัฐบาลจีนได้สนับสนุุนให้ Tsinghua Unigroup บริษัทผู้ออกแบบชิปรายใหญ่ที่สุดของจีนในการเข้าซื้อหุ้นส่วนใหญ่ของ XMC หนึ่งในผู้ผลิตชิปรายใหญ่ที่สุดของจีน ให้ดำเนินการภายใต้บริษัท Holding ที่ตั้งขึ้นใหม่ภายใต้ชื่อ Yangtze River Storage Technology ด้วยทุนจดทะเบียนสูงถึง 18,9000 ล้านหยวน หรือราวๆ 99,589 ล้านบาทไทย

Read More »

Rowhammer: แฮ็คคอมพิวเตอร์ด้วยการลัดวงจร DRAM

ทีมนักวิจัยของ Google ประสบความสำเร็จในการเขียนโค้ดเพื่อแฮ็คระบบคอมพิวเตอร์โดยอาศัยช่องโหว่การรบกวนกันของคลื่นไฟฟ้าระหว่างเซลล์ของเมมโมรี่ที่อัดกันแน่นจนเกินไป โดยช่องโหว่นี้คาดว่าส่งผลกระทบต่อเครื่องคอมพิวเตอร์ทุกเครื่องที่ใช้งาน DDR3 DRAM หรือก็คือเครื่องคอมพิวเตอร์ส่วนใหญ่ที่ใช้งานกันอยู่ในปัจจุบันนั่นเอง

Read More »