TechTalkThai ศูนย์รวมข่าว Enterprise IT ออนไลน์แห่งแรกในประเทศไทย
Samsung ส่ง GDDR7 DRAM ความจุ 24Gb เข้าสู่กระบวนการทดสอบในระบบ AI ประสิทธิภาพสูง คาดเริ่มผลิตไตรมาสแรกปี 2025
Read More »Samsung เปิดตัวชิป GDDR7 DRAM ความจุ 24Gb สำหรับระบบ AI
Micron คาดการณ์แนวโน้มการรวมศูนย์เซิร์ฟเวอร์ครั้งใหม่
Micron รายงานผลประกอบการที่แข็งแกร่งในไตรมาส 4 ปี 2024 พร้อมคาดการณ์การเติบโตต่อเนื่องจากการรวมศูนย์เซิร์ฟเวอร์ในปี 2025
Read More »Samsung เปิดตัว HBM3E Memory ความจุสูงสุด 36GB
Samsung เปิดตัวชิปหน่วยความจำใหม่ล่าสุดภายใต้ชื่อโค้ด ‘Shinebolt’ หลังจากที่ Micron เพิ่งประกาศเริ่มต้นการผลิต 8-Hi 24GB HBM3E ไปแค่ไม่กี่ชั่วโมง โดย 12-Hi 36 GB HBM3E มีความจุสูงสุดถึง 36 GB และมี bandwidth ถึง 1,280 GB/s
Read More »Gartner คาดการณ์ ราคาหน่วยความจำอาจปรับตัวเพิ่มขึ้นในช่วงปีหน้า
Gartner คาดการณ์ ราคาหน่วยความจำอาจปรับตัวเพิ่มขึ้นในช่วงปีหน้า
Read More »Kingston Technology ยังครองตำแหน่งซัพพลายเออร์โมดูล DRAM อันดับสูงสุดในปี 2565 [Guest Post]
Kingston Technology ผู้นำด้านผลิตภัณฑ์หน่วยความจำและโซลูชันเทคโนโลยีระดับโลกประกาศว่า บริษัทได้รับการจัดอันดับให้เป็นซัพพลายเออร์โมดูล DRAM ประเภทบุคคลที่สาม (Third-party) อันดับสูงสุดของโลก ในการจัดอันดับตามรายได้ล่าสุดโดยบริษัทด้านการวิเคราะห์ TrendForce ซึ่ง Kingston สามารถรักษาตำแหน่งอันดับ 1 ด้วยส่วนแบ่งตลาด 78.12% โดยประมาณ จากรายได้ 13.5 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ (USD) และจากข้อมูลของ TrendForce ตลาดการขายโมดูล DRAM ทั่วโลกในปี 2565 ลดลง 4.6% เมื่อเทียบกับปีที่ผ่านมาในช่วงเวลาเดียวกัน (YoY) โดยรายได้ของ Kingston ลดลงเล็กน้อย แต่ยังคงรักษาตำแหน่งผู้นำระดับโลกได้เป็นปีที่ 20 ติดต่อกัน
Read More »SK hynix เปิดตัวชิปหน่วยความจำ HBM3E ใหม่
SK hynix เปิดตัวชิปหน่วยความจำ HBM3E ใหม่ มาพร้อมความเร็วการประมวลผลระดับ 1.15TB/s เหมาะสำหรับงานด้าน AI
Read More »Samsung กำไรรายไตรมาสลดลง 25% ครั้งแรกในรอบสามปี
ผลประกอบการในช่วงไตรมาสที่ 3 ของ Samsung อาจร่วงลงกว่า 25% สืบเนื่องมาจากภาวะเศรษฐกิจโลกที่ตกต่ำซึ่งส่งผลกระทบต่อความต้องการในส่วนของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และชิปที่ลดลงตามไปด้วย
Read More »Samsung เปิดตัว LPDDR5X ชิปแรมสำหรับอุปกรณ์ 5G, AI และ Edge Device
Samsung เปิดตัว LPDDR5X ชิปแรมประหยัดพลังงานสำหรับอุปกรณ์ 5G, AI และ Edge Device
Read More »ผู้พัฒนา NAND เผยเทคโนโลยีใหม่ที่จะมาแทนที่ DRAM
ผู้พัฒนา NAND เปิดเผยรายละเอียดเทคโนโลยีใหม่ Dynamic Flash Memory (DFM) ที่จะมาแทนที่ DRAM ในอนาคต
Read More »เปิดตัว Intel Optane DC Persistent Memory ใหม่ ความจุ 128GB, 256GB และ 512GB
Intel ได้ประกาศเปิดตัว Intel Optane DC Persistent Memory ทำงานบนสถาปัตยกรรมแบบใหม่อยู่ระหว่าง DRAM และ SSD มีความจุตั้งแต่ 128GB, 256GB และ 512GB
Read More »Microsoft จับมือ Rambus พัฒนา RAM แห่งอนาคต ทำงานได้ที่อุณหภูมิ -180 องศาเซลเซียส
Microsoft ได้ประกาศความร่วมมือกับ Rambus ในการพัฒนาเทคโนโลยีสำหรับรองรับ Cryogenic Computing หรือการประมวลผลที่อุณหภูมิระดับต่ำ โดยในที่นี้คือการพัฒนา DRAM แบบใหม่ที่ทำงานได้ภายใต้อุณหภูมิ -180 องศาเซลเซียสนั่นเอง
Read More »Intel ประกาศ เตรียมพบกับ DDR5 DRAM ได้ในปี 2020
ภายในงาน Intel Developer Forum (IDF) ที่กำลังจัดขึ้นนี้ ทาง Intel ได้ออกมาเปิดเผยถึงเทคโนโลยี DDR5 DRAM ที่จะเริ่มเปิดเผยสเป็คกันภายในปีนี้ และเริ่มผลิตวางจำหน่ายสู่ตลาดภายในปี 2020 เป็นการหักปากกาของเหล่านักวิเคราะห์ทั่วโลกที่เคยทำนายกันเอาไว้ว่า DDR4 จะเป็นเทคโนโลยีสุดท้ายของ DRAM
Read More »กำเนิด Yangtze ผู้ผลิตชิปสัญชาติจีนด้วยทุนจดทะเบียน 99,589 ล้านบาท พัฒนา 3D NAND และ DRAM
เป็นอีกก้าวที่น่าจับตามองจากประเทศจีนมาก เมื่อรัฐบาลจีนได้สนับสนุุนให้ Tsinghua Unigroup บริษัทผู้ออกแบบชิปรายใหญ่ที่สุดของจีนในการเข้าซื้อหุ้นส่วนใหญ่ของ XMC หนึ่งในผู้ผลิตชิปรายใหญ่ที่สุดของจีน ให้ดำเนินการภายใต้บริษัท Holding ที่ตั้งขึ้นใหม่ภายใต้ชื่อ Yangtze River Storage Technology ด้วยทุนจดทะเบียนสูงถึง 18,9000 ล้านหยวน หรือราวๆ 99,589 ล้านบาทไทย
Read More »Rowhammer: แฮ็คคอมพิวเตอร์ด้วยการลัดวงจร DRAM
ทีมนักวิจัยของ Google ประสบความสำเร็จในการเขียนโค้ดเพื่อแฮ็คระบบคอมพิวเตอร์โดยอาศัยช่องโหว่การรบกวนกันของคลื่นไฟฟ้าระหว่างเซลล์ของเมมโมรี่ที่อัดกันแน่นจนเกินไป โดยช่องโหว่นี้คาดว่าส่งผลกระทบต่อเครื่องคอมพิวเตอร์ทุกเครื่องที่ใช้งาน DDR3 DRAM หรือก็คือเครื่องคอมพิวเตอร์ส่วนใหญ่ที่ใช้งานกันอยู่ในปัจจุบันนั่นเอง
Read More »