Samsung เปิดตัว HBM3E Memory ความจุสูงสุด 36GB

Samsung เปิดตัวชิปหน่วยความจำใหม่ล่าสุดภายใต้ชื่อโค้ด ‘Shinebolt’ หลังจากที่ Micron เพิ่งประกาศเริ่มต้นการผลิต 8-Hi 24GB HBM3E ไปแค่ไม่กี่ชั่วโมง โดย 12-Hi 36 GB HBM3E มีความจุสูงสุดถึง 36 GB และมี bandwidth ถึง 1,280 GB/s

HBMs เป็นการวางโมดูล DRAM แบบซ้อนแนวตั้งที่เรียกว่า stack หรือ layer โดยเทคโนโลยีล่าสุดของ Samsung พูดถึงการซ้อนทับใน 12 ชั้น ทั้งนี้ผู้เล่นในตลาดหน่วยความจำต่างก็แข่งกันหาวิธีเพิ่มชั้นโดยจำกัดความสูงหรือเพิ่มความหนาแน่นในความบางมากที่สุดนั่นเอง

ความสำเร็จของ 12-Hi 36 GB HBM3E เกิดขึ้นจากเทคโนโลยีหลายตัวร่วมกัน เริ่มต้นที่เทคโนโลยี 4th generation 10nm-class (14nm) ที่มีการใช้ extreme ultraviolet (EUV) รวมถึงการผสานกับเทคโนโลยีที่สอง advanced thermal compression non-conductive film (TC NCF) เพื่อทำให้ได้ระยะห่างระหว่างอุปกรณ์หน่วยความจำ 7 ไมโครเมตร ซึ่งนับเป็นสถิติดีที่สุดในอุตสาหกรรมตอนนี้ และทำให้ Samsung รักษาความสูงได้เท่ากับผลิตภัณฑ์ 8-Hi HBM3

นอกจากนี้ยังมีแนวคิดการคละขนาดของ DRAM ICs โดยขนาดเล็กจะใช้ในพื้นที่ส่งสัญญาณแต่ขนาดที่ใหญ่กว่าจะวางในจุดที่ต้องการกระจายความร้อนเพื่อจัดการอุณหภูมิ ทั้งนี้ Samsung คาดว่า 12-Hi 36 GB HBM3E จะช่วยเพิ่มความเร็วให้งาน AI Training ได้ถึง 34% ซึ่งคาดว่าจะเริ่มผลิตได้ในช่วงครึ่งแรกของปีนี้

ที่มา : https://www.anandtech.com/show/21278/samsung-launches-12hi-36gb-hbm3e-memory-stacks-with-10-gts-speed และ https://www.zdnet.com/article/samsung-becomes-first-to-introduce-12-stack-hbm3e-amid-high-demand-from-ai/