TechTalkThai ศูนย์รวมข่าว Enterprise IT ออนไลน์แห่งแรกในประเทศไทย
ผู้พัฒนา NAND เปิดเผยรายละเอียดเทคโนโลยีใหม่ Dynamic Flash Memory (DFM) ที่จะมาแทนที่ DRAM ในอนาคต
บริษัท Unisantis จากประเทศสิงคโปร์ผู้พัฒนา NAND และเป็นเจ้าของใบสิทธิบัตรเทคโนโลยีหน่วยความจำมากกว่า 700 ใบ เปิดเผยรายละเอียดเทคโนโลยี Dynamic Flash Memory (DFM) ซึ่งคาดว่าจะสามารถเข้ามาแทนที่ DRAM ได้ในอนาคต
DRAM cell เก็บข้อมูลด้วยวิธีการประจุไฟเข้าไปใน Cell ซึ่งก่อให้เกิดปัญหาหลายอย่าง เช่น จำเป็นต้องมีการ Refreshing ตลอดเวลา เพื่อป้องกันประจุไฟฟ้ารั่ว และประจุไฟฟ้าจะหายทุกครั้งเมื่อมีการอ่านข้อมูล ส่งผลให้มีการใช้งานพลังงานค่อนข้างมาก โดย Unisantis พยายามพัฒนาเทคโนโลยีที่จะเข้ามาแก้ไขปัญหาในส่วนนี้ โดยตั้งเป้าให้เทคโนโลยีนั้นต้องมีประสิทธิภาพที่ดีกว่า และราคาถูกกว่า DRAM พร้อมทั้งสามารถขยายขนาดได้ในอนาคต
DFM ที่พัฒนาขึ้นนี้ ใช้เทคโนโลยี Surround Gate Transistor (SGT) เข้ามาช่วยในการเก็บประจุไฟฟ้า ถูกออกแบบให้มีโครงสร้างแบบ 3D pillar จัดเรียง Field-effect transistor (FET) แบบแนวตั้ง โดยมีส่วนสำคัญคือ Gate ที่ถูกล้อมรอบด้วย Silicon pillar ซึ่งมีข้อดีคือ ประหยัดพื้นที่กว่า Planar transistor และ FinFET transistor นอกจากนี้ยังช่วยลดอัตราของประจุไฟฟ้าที่จะหลุดรั่วออกไปได้ และประจุไฟฟ้าจะไม่หายไปเมื่อมีการอ่านข้อมูล ส่งผลให้มี Refresh Cycle ที่นานกว่า DRAM ซึ่งทำให้ประหยัดไฟและมี Bandwidth ที่สูงกว่า
ในแบบจำลองสามารถสร้างหน่วยความจำที่มากกว่าชิป DRAM ได้ถึง 4 เท่า ซึ่งจะมีขนาดสูงสุด 64Gb โดยขนาดของ DRAM ในปัจจุบันสูงสุดอยู่ 16Gb อย่างไรก็ตามปัจจุบันยังอยู่ในขั้นตอนของการวิจัยและพัฒนา ซึ่ง Unisantis ได้เผยอีกว่าเริ่มมีการคุยกับพาร์ทเนอร์หลายรายเพื่อที่จะผลิตหน่วยความจำจาก DFM ออกจำหน่ายสู่ตลาดแล้ว
