SK hynix เปิดตัวชิปหน่วยความจำ HBM3E ใหม่

SK hynix เปิดตัวชิปหน่วยความจำ HBM3E ใหม่ มาพร้อมความเร็วการประมวลผลระดับ 1.15TB/s เหมาะสำหรับงานด้าน AI
Credit: SK hynix

SK hynix ได้ประกาศเปิดตัวชิปหน่วยความจำใหม่ HBM3E นับเป็นรุ่นที่ 5 ของ High Bandwidth Memory (HBM) ที่พัฒนาออกมา ต่อยอดจากรุ่นก่อนหน้า – HBM, HBM2, BM3E และ HBM3 ตัวชิปอาศัยการเชื่อมต่อ DRAM ภายในแบบแนวตั้งให้มีความสูงมากขึ้นเพื่อรองรับการประมวลผลข้อมูลด้วยความเร็วสูง เพื่อเน้นตอบโจทย์งานหน่วยความจำทางด้านระบบ AI โดยเฉพาะ จากผลการทดสอบนั้น HBM3E มีความเร็วในการประมวลผลข้อมูลที่ 1.15 TB ต่อวินาที หรือเมื่อเทียบกับการอ่านไฟล์วิดีโอขนาด 5GB จะสามารถอ่านได้ 230 ไฟล์ต่อวินาที ชิปรุ่นนี้ยังมีการใส่เทคโนโลยี Advanced MR-MUF เพื่อช่วยระบายความร้อน โดยมีอัตราการระบายความร้อนดีขึ้น 10% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อน
 
ปัจจุบัน SK hynix นั้นได้จับมือกับ NVIDIA เพื่อช่วยผลักดันเทคโนโลยีด้านหน่วยความจำสำหรับระบบ AI โดยเฉพาะ คาดว่าชิปรุ่นนี้จะพร้อมวางจำหน่ายภายในช่วงครึ่งแรกของปีหน้า
 

About เด็กฝึกงาน TechTalkThai หมายเลข 1

นักเขียนผู้มีความสนใจใน Enterprise IT ด้วยประสบการณ์กว่า 10 ปีในไทย ปัจจุบันใช้ชีวิตอยู่ที่สหรัฐอเมริกา แต่ยังคงมุ่งมั่นในการแบ่งปันความรู้และประสบการณ์ด้านเทคโนโลยีให้กับทุกคน

Check Also

IBM เชื่อมโมดูลทำความเย็นยิ่งยวดชุดแรกสำเร็จ เข้าใกล้ระบบประมวลผลควอนตัมทนความผิดพลาดอีกก้าว

IBM ประกาศว่าบริษัทได้ก้าวไปข้างหน้าอย่างมหาศาลสู่เป้าหมายในการส่งมอบคอมพิวเตอร์ควอนตัมที่ทนทานต่อความผิดพลาดเครื่องแรกของโลกภายในปี 2029 หลังจากประสบความสำเร็จในการเชื่อมต่อและลดอุณหภูมิของโมดูลคู่แรกที่ใช้สถาปัตยกรรมทำความเย็นยิ่งยวดแบบใหม่ที่สามารถขยายขนาดได้สูง

QSAN จับมือ Altos Computing ส่งมอบโครงสร้างพื้นฐาน AI ภายในองค์กรระดับ Enterprise [PR]

ผสานระบบจัดเก็บข้อมูลองค์กร ระบบประมวลผล AI และซอฟต์แวร์ AI เพื่อวางรากฐานที่ปลอดภัยและรองรับการขยายตัวสำหรับการใช้งาน Private AI