SK hynix เปิดตัวชิปหน่วยความจำ HBM3E ใหม่ มาพร้อมความเร็วการประมวลผลระดับ 1.15TB/s เหมาะสำหรับงานด้าน AI

SK hynix ได้ประกาศเปิดตัวชิปหน่วยความจำใหม่ HBM3E นับเป็นรุ่นที่ 5 ของ High Bandwidth Memory (HBM) ที่พัฒนาออกมา ต่อยอดจากรุ่นก่อนหน้า – HBM, HBM2, BM3E และ HBM3 ตัวชิปอาศัยการเชื่อมต่อ DRAM ภายในแบบแนวตั้งให้มีความสูงมากขึ้นเพื่อรองรับการประมวลผลข้อมูลด้วยความเร็วสูง เพื่อเน้นตอบโจทย์งานหน่วยความจำทางด้านระบบ AI โดยเฉพาะ จากผลการทดสอบนั้น HBM3E มีความเร็วในการประมวลผลข้อมูลที่ 1.15 TB ต่อวินาที หรือเมื่อเทียบกับการอ่านไฟล์วิดีโอขนาด 5GB จะสามารถอ่านได้ 230 ไฟล์ต่อวินาที ชิปรุ่นนี้ยังมีการใส่เทคโนโลยี Advanced MR-MUF เพื่อช่วยระบายความร้อน โดยมีอัตราการระบายความร้อนดีขึ้น 10% เมื่อเทียบกับรุ่นก่อน
ปัจจุบัน SK hynix นั้นได้จับมือกับ NVIDIA เพื่อช่วยผลักดันเทคโนโลยีด้านหน่วยความจำสำหรับระบบ AI โดยเฉพาะ คาดว่าชิปรุ่นนี้จะพร้อมวางจำหน่ายภายในช่วงครึ่งแรกของปีหน้า
TechTalkThai ศูนย์รวมข่าว Enterprise IT ออนไลน์แห่งแรกในประเทศไทย









