เป็นเวลายาวนานเกินกว่า 20 ปี กว่างานวิจัยด้าน Carbon Nanotube จะมีความเร็วแซง Silicon และนี่อาจกลายเป็นเทคโนโลยี Semiconductor แห่งอนาคตก็เป็นได้
นักวิจัยจาก University of Wisconsin-Madison ได้ประสบความสำเร็จในการนำ Single-Walled Carbon Nanotube (SWCNT) มาใช้สร้างเป็น Transistor ที่มีคววามเร็วยิ่งกว่าเทคโนโลยี Silicon Transistor ที่เราใช้งานกันในปัจจุบันนี้ได้สำเร็จแล้ว โดยงานวิจัยในลักษณะนี้ได้ดำเนินต่อเนื่องมาเป็นระยะเกินกว่า 20 ปีด้วยฝีมือของนักวิจัยจากหลากหลายแห่งทั่ววโลกตั้งแต่ปี 1990 เป็นต้นมา
งานวิจัยนที่ตีพิมพ์ใน Science Advances นั้นได้ระบุว่าความเร็วของการส่งสัญญาณไฟฟ้าใน Transistor ที่สร้างจาก SWCNT นี้สูงกว่าความเร็วของ Silicon Transistor ถึง 1.9 เท่า ซึ่งก็จะส่งผลให้วงจรไฟฟ้าทั้งหมดสามารถทำงานได้อย่างรวดเร็วยิ่งขึ้น โดยหัวใจหลักของงานวิจัยนี้ก็คือการสร้าง Transistor ด้วยกระบวนการใหม่เพื่อจัดเรียง Polymer ให้อยู่ระหว่างโลหะและ Semiconducting SWCNT ให้ได้นั่นเอง รวมถึงการจัดเรียง Nanotubes ให้ได้บน Wafer นั้นก็เป็นอีกปัญหาหนึ่งที่ได้ทำการแก้ไขไปแล้วด้วยวิธี Floating Evaporative Self-Assembly นั่นเอง
ถัดจากนี้ไปงานวิจัยนี้จะมุ่งเน้นที่การปรับปรุงกระบวนการการผลิตให้สามารถนำไปสู่การผลิตเชิงอุตสาหกรรมให้ได้แบบ Silicon Transistor
TechTalkThai ศูนย์รวมข่าว Enterprise IT ออนไลน์แห่งแรกในประเทศไทย






