Tag Archives: 3d nand

ตอกย้ำความเป็นผู้นำอุตสาหกรรมการจัดเก็บข้อมูลในเซลล์แบบหลายชั้น ซึ่งพัฒนาต่อยอดจากชิป 2D NAND ที่ใช้เทคโนโลยี 4 บิตต่อเซลล์ กรุงเทพฯ 1 สิงหาคม 2560 – เวสเทิร์น ดิจิตอล คอร์ปอเรชั่น (NASDAQ: WDC) ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาโครงสร้างหน่วยความจำแฟลชแบบ 4 บิตต่อเซลล์ (X4) ซึ่งเป็นสถาปัตยกรรม 3D NAND ที่รองรับได้ถึง 64 เลเยอร์ หรือมีชื่อเรียกอีกชื่อหนึ่งว่า BiCS3 การพัฒนาดังกล่าวต่อยอดจากนวัตกรรม X4 สำหรับเทคโนโลยีชิป 2D NAND และมุ่งสานต่อความสำเร็จในการจัดจำหน่ายเชิงพาณิชย์ ปัจจุบัน เวสเทิร์น ดิจิตอล พัฒนาเทคโนโลยี X4 เพื่อชิป 3D NAND ด้วยการใช้ประโยชน์จากการควบรวมกิจการที่มีศักยภาพสูง ทั้งกระบวนการผลิตแผ่นซิลิกอนเวเฟอร์ การพัฒนาวิศวกรรมเพื่อสร้างข้อมูล 16 ชั้นในทุกเครือข่ายการจัดเก็บข้อมูลและความเชี่ยวชาญด้านการจัดการระบบหน่วยความจำแฟลชในภาพรวม เทคโนโลยีชิป BiCS3 X4 มอบศักยภาพการเก็บข้อมูลระดับแถวหน้าของอุตสาหกรรมที่ 768 กิกะบิตต่อชิปหนึ่งตัว หรือเพิ่มขึ้นร้อยละ 50 เมื่อเทียบกับชิป 512 กิกะบิตรุ่นก่อนหน้าซึ่งใช้สถาปัตยการรมแบบ 3 …

Western Digital Corp. (WDC) ได้ออกมาประกาศถึงความสำเร็จในการพัฒนา X4 เทคโนโลยี 3D NAND ล่าสุดแบบ 4 Bit ต่อ Cell ซึ่งเป็นสถาปัตยกรรม 3D NAND ที่รองรับได้ถึง 64-layer หรือมีชื่อเรียกอีกชื่อหนึ่งว่า BiCS3 ทำให้อนาคตของเทคโนโลยี Flash นั้นยังคงพัฒนาต่อเนื่องไปได้อีกยาวไกล

ตอกย้ำความเป็นผู้นำเทคโนโลยีหน่วยความจำ 3D NAND รวมถึงการดำเนินงานและการพัฒนาเทคโนโลยีที่ยังคงแข็งแกร่ง กรุงเทพฯ 3 กรกฎาคม 2560 – เวสเทิร์น ดิจิตอล คอร์ปอเรชั่น (NASDAQ: WDC) ผู้นำด้านเทคโนโลยีและโซลูชั่นการจัดเก็บข้อมูลระดับโลก แถลงถึงความสำเร็จในการพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำชิป NAND แบบสามมิติ (3D NAND) รุ่นใหม่ล่าสุดซึ่งใช้ชื่อว่า “BiCS4” มาพร้อมศักยภาพการเก็บข้อมูลแนวตั้งแบบ 96 เลเยอร์ โดยคาดว่าลูกค้าที่รับจ้างผลิต (OEM) จะได้ทดสอบใช้งานเทคโนโลยีหน่วยความจำล่าสุดนี้ในช่วงครึ่งปีหลังตามปฏิทินพ.ศ. 2560 และเริ่มเดินสายการผลิตในปีตามปฏิทิน พ.ศ.2561 ทั้งนี้ “BiCS4” เกิดจากการพัฒนาร่วมกันระหว่าง บริษัท เวสเทิร์น ดิจิตอล และบริษัทคู่ค้า โตชิบา คอร์ปอเรชั่น โดยเบื้องต้นจะเริ่มใช้งานชิปขนาด 256 กิกกะไบต์ก่อนและจะขยายศักยภาพของหน่วยความจำให้มีมากขึ้น โดยครอบคลุมไปถึงระดับเทระบิตบนชิปเดี่ยว

TrendForce ได้ออกมาทำนายถึงอนาคตของตลาด NAND ในปี 2017 ซึ่งมีประเด็นต่างๆ ที่เหล่าผู้ดูแลระบบและผู้ที่อยู่ในวงการ IT ต้องให้ความสนใจ ดังนี้

Intel ประกาศเปิดตัว SSD รุ่นใหม่ล่าสุดจากเทคโนโลยี 3D NAND ด้วยกันถึง 6 รุ่น โดยแต่ละรุ่นมีรายละเอียดดังนี้

นับวันเทคโนโลยีฝั่ง Solid State Drive (SSD) จะยิ่งก้าวล้ำเหนือไปกว่า Hard Disk Drive (HDD) มากขึ้นเรื่อยๆ โดยล่าสุดนี้ Samsung ได้ประกาศเปิดตัว Enterprise SAS SSD ขนาด 2.5 นิ้วที่มีความจุสูงถึง 32TB โดยใช้เทคโนโลยี Vertical NAND (V-NAND) รุ่นที่ 4 หรือที่เป็นที่รู้จักกันดีในนามของ 3D NAND นั่นเอง

เป็นอีกก้าวที่น่าจับตามองจากประเทศจีนมาก เมื่อรัฐบาลจีนได้สนับสนุุนให้ Tsinghua Unigroup บริษัทผู้ออกแบบชิปรายใหญ่ที่สุดของจีนในการเข้าซื้อหุ้นส่วนใหญ่ของ XMC หนึ่งในผู้ผลิตชิปรายใหญ่ที่สุดของจีน ให้ดำเนินการภายใต้บริษัท Holding ที่ตั้งขึ้นใหม่ภายใต้ชื่อ Yangtze River Storage Technology ด้วยทุนจดทะเบียนสูงถึง 18,9000 ล้านหยวน หรือราวๆ 99,589 ล้านบาทไทย

นอกจาก CPU Intel Xeon E5-2600 v4 แล้ว Intel ก็ได้ประกาศเปิดตัว Data Center Solid State Drive (SSD) ใหม่ออกมาด้วยกันทั้งสิ้น 4 รุ่น ดังนี้