TechTalkThai ศูนย์รวมข่าว Enterprise IT ออนไลน์แห่งแรกในประเทศไทย
IBM ได้ออกมาประกาศความสำเร็จในงานวิจัยจากทีมนักวิทยาศาสตร์ที่สามารถวิจัย Phase-Change Memory (PCM) ที่มีคุณสมบัติคือมีความจุ 3-bit ต่อ Cell โดยสามารถทำหน้าที่ทดแทน DRAM, Hard Drive และ Flash Storage ได้ ซึ่งเทคโนโลยีนี้อาจกลายเป็นอีกจุดเปลี่ยนของเทคโนโลยีการจัดเก็บข้อมูลได้ในอนาคต
ก่อนหน้านี้ IBM เคยประสบความสำเร็จในการวิจัยการจัดเก็บข้อมูลขนาด 1-bit ลง PCM จำนวน 1 Cell มาก่อนแล้ว การประสบความสำเร็จในการจัดเก็บได้มากถึง 3-bit ใน PCM จำนวน 1 Cell นี้จะช่วยให้ต้นทุนของ PCM นั้นถูกลงไปกว่า DRAM เป็นอย่างมาก และเข้าใกล้กับ Flash เสียมากกว่า
นอกจากนี้ด้วยคุณสมบัติอื่นๆ ของ PCM เช่น ความเร็วในการเขียนอ่านข้อมูล, ความทนทาน, การทำงานได้แบบ Non-Volatile หรือยังคงสามารถจัดเก็บข้อมูลได้แม้จะไม่มีไฟฟ้าหล่อเลี้ยง และรวมถึงความหนาแน่นต่อพื้นที่ ก็ทำให้ PCM กลายมาเป็นทางเลือกที่อาจจะมาทดแทนเทคโนโลยี DRAM ที่ใช้กันอยู่ในปัจจุบันได้
ถ้าจะเปรียบเทียบตัวอย่างการใช้งานแล้ว PCM นี้มีความทนทานในการเขียนข้อมูลขั้นต่ำ 10 ล้านรอบ ในขณะที่ Flash USB ทั่วๆ ไปมีความทนทานเพียงแค่ 3,000 รอบเท่านั้น นอกจากนี้ PCM ยังสามารถนำไปใช้งานได้หลากหลายไม่ว่าจะเป็นบนอุปกรณ์ Mobile Device เพื่อใช้จัดเก็บระบบปฏิบัติการและบูทได้ด้วยความเร็วสูง, การใช้จัดเก็บฐานข้อมูลทั้งหมดเพื่อเข้าถึงได้อย่างรวดเร็ว รวมถึงการนำไปใช้กับระบบ Machine Learning ให้มีความรวดเร็วสูงยิ่งขึ้น
ที่มา: http://www-03.ibm.com/press/us/en/pressrelease/49746.wss
