TechTalkThai ศูนย์รวมข่าว Enterprise IT ออนไลน์แห่งแรกในประเทศไทย
IBM ได้ออกมาประกาศความสำเร็จในงานวิจัยจากทีมนักวิทยาศาสตร์ที่สามารถวิจัย Phase-Change Memory (PCM) ที่มีคุณสมบัติคือมีความจุ 3-bit ต่อ Cell โดยสามารถทำหน้าที่ทดแทน DRAM, Hard Drive และ Flash Storage ได้ ซึ่งเทคโนโลยีนี้อาจกลายเป็นอีกจุดเปลี่ยนของเทคโนโลยีการจัดเก็บข้อมูลได้ในอนาคต
Read More »IBM พัฒนาหน่วยความจำแบบใหม่สำเร็จ! มี 3-bit ต่อ Cell และอาจทดแทน DRAM และ Storage ได้ในอนาคต
