Samsung เผยการพัฒนา DDR5 Memory ขนาด 512GB

Samsung ได้ประกาศว่าตนมีการพัฒนา Memory รุ่นแรกในมาตรฐาน DDR5 ที่ออกมาเมื่อปีก่อนแล้ว

DDR5 เป็นมาตรฐานที่ถูกประกาศออกมาเมื่อกรกฏาคมปีก่อนโดย JEDEC ซึ่งล่าสุดทาง Samsung ได้มีผลิตภัณฑ์ของตัวเองที่รองรับมาตรฐานนั้นแล้ว โดยมีขนาดถึง 512 GB และด้วยเทคโนโลยี high-k metal gate (HKMG) ทำให้ Samsung สามารถสร้าง Memory ที่มีอัตรารับส่งข้อมูลสูงถึง 7,200 Mbps มากกว่าใน DDR4 ถึง 2 เท่า ซึ่งภายในได้มีการวางชิป DRAM ขนาด 16GB ไว้ถึง 8 ชั้นใน โมดูล

นอกจากนี้ Memory แบบใหม่จะใช้พลังงานน้อยลงกว่ารุ่นก่อนหน้าถึง 13% ซึ่งด้วยความพิเศษที่กล่าวมา ทำให้ผลิตภัณฑ์ใหม่เหมาะสำหรับการใช้งานที่ต้องการ Bandwidth สูงเช่น Supercomputing, AI/ML และ Data Analytics โดยพาร์ทเนอร์อย่าง Intel ก็ออกมาตอบรับเทคโนโลยีจาก Samsung แล้วใน Intel Xeon Scalable processors ในชื่อโค้ด ‘Sapphire Rapids’

ที่มา : https://www.zdnet.com/article/samsung-develops-512gb-ddr5-memory-for-advanced-computing/

About nattakon

จบการศึกษา ปริญญาตรีและโท สาขาวิศวกรรมคอมพิวเตอร์ KMITL เคยทำงานด้าน Engineer/Presale ดูแลผลิตภัณฑ์ด้าน Network Security และ Public Cloud ในประเทศ ปัจจุบันเป็นนักเขียน Full-time ที่ TechTalkThai

Check Also

Slack เปิดตัว Slack Code เปลี่ยนการเขียนโค้ดด้วย AI Agent ให้เป็นงานที่ทั้งทีมทำร่วมกัน

Slack เปิดตัว Slack Code ฟีเจอร์ Code Channel สำหรับให้ทีมงานและ Coding Agent เขียนโค้ด รีวิว และส่งงานขึ้น Production ร่วมกันได้ภายใน …

IBM เชื่อมโมดูลทำความเย็นยิ่งยวดชุดแรกสำเร็จ เข้าใกล้ระบบประมวลผลควอนตัมทนความผิดพลาดอีกก้าว

IBM ประกาศว่าบริษัทได้ก้าวไปข้างหน้าอย่างมหาศาลสู่เป้าหมายในการส่งมอบคอมพิวเตอร์ควอนตัมที่ทนทานต่อความผิดพลาดเครื่องแรกของโลกภายในปี 2029 หลังจากประสบความสำเร็จในการเชื่อมต่อและลดอุณหภูมิของโมดูลคู่แรกที่ใช้สถาปัตยกรรมทำความเย็นยิ่งยวดแบบใหม่ที่สามารถขยายขนาดได้สูง