TechTalkThai ศูนย์รวมข่าว Enterprise IT ออนไลน์แห่งแรกในประเทศไทย
Toshiba ได้ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาชิปตัวใหม่ ภายใต้ชื่อ BiCS FLASH ซึ่งเป็น 3D NAND Flash พัฒนาด้วยเทคโนโลยี 3-bit-per-cell Triple-level Cell (TLC) จำนวน 64 Layer สามารถเก็บข้อมูลได้สูงถึง 1TB ภายใต้ชิปตัวเดียว
512 Gb (64 gigabyte) BiCS FLASH เป็น Generation ที่ 3 ที่เปิดตัวออกมา ใช้การพัฒนาแบบ 64-Layer ทำให้ได้พื้นที่ในการเก็บข้อมูลมากขึ้นกว่าเดิมถึง 65% เมื่อเทียบกับเทคโนโลยี 48-Layer, 256 Gb (32 gigabyte) เดิมของ Toshiba เอง ซึ่งถ้าหากนำไปใช้งานกับสถาปัตยกรรมแบบ 16-die stack จะทำให้ได้พื้นที่เก็บข้อมูลมากขึ้นถึง 1TB เลยทีเดียว ซึ่งมากที่สุดในตลาด
สำหรับ 512 Gb BiCS FLASH นี้จะถูกนำไปใช้ใน SSD ของ Toshiba โดยเตรียมที่จะนำเข้าสู่สายการผลิตภายในครึ่งปีหลังของปี 2017 นี้ ซึ่ง Toshiba ก็มีแผนจะสร้างโรงงาน Fab 6 เพื่อเป็น R&D Center และ Memory R&D Center ที่เมือง Yokkaichi ประเทศญี่ปุ่น และใช้ในการผลิต BiCS FLASH โดยเฉพาะอีกด้วย
ที่มา : https://toshiba.semicon-storage.com/us/company/taec/news/2017/02/memory-20170224-1.html
