Samsung เผยรายละเอียดสถาปัตยกรรมการผลิตชิป 2 นาโนเมตร

ในงาน Samsung Foundry Forum (SFF) ที่กำลังจัดขึ้น Samsung ได้ออกมาเผยรายละเอียดเกี่ยวสถาปัตยกรรมการผลิตชิปขนาด 2 นาโนเมตร

Samsung เผยรายละเอียด Process node ใหม่ในชื่อ SF2 โดยเป็นสถาปัตยกรรมการผลิตชิปขนาด 2 นาโนเมตร ถูกรีแบรนด์มาจาก SF3P ที่เปิดตัวออกมาในช่วงปีที่แล้ว แต่หันมาใช้ชื่อใหม่เพื่อสื่อถึงการออกแบบและการพัฒนาที่มีการปรับปรุงใหม่ ซึ่ง SF2 node ใช้การผลิตทรานซิสเตอร์แบบ gate-all-around หรือ GAA แบบปรับปรุงใหม่ ช่วยลดกระแสที่รั่วออกจากทรานซิสเตอร์ขณะประมวลผลได้ ส่งผลให้ประสิทธิภาพการใช้พลังงานไฟฟ้าดีขึ้น คาดว่าสถาปัตยกรรมการผลิตนี้จะพร้อมใช้งานในช่วงปีหน้า และจะเปิดตัว SF2P เวอร์ชันปรับปรุง ซึ่งมีทรานซิสเตอร์ที่เพิ่มความเร็วตามมาในปี 2026 ส่วนปี 2027 จะมีแผนการเปิดตัวเวอร์ชันที่สามตามมา โดยมีการเพิ่มฟีเจอร์ใหม่ที่เรียกว่า Backside Power Delivery

นอกจากนี้ Samsung ยังเผยอีกว่ากำลังปรับปรุง Process node ขนาด 3 นาโนเมตรซึ่งเตรียมจะเปิดตัวในปีนี้ ขณะเดียวกันก็กำลังพัฒนา Process node ขนาด 4 นาโนเมตรเวอร์ชันใหม่ไปพร้อมกัน ซึ่งมีแผนจะเปิดตัวในปี 2025 ส่วน SF1.4 สถาปัตยกรรมการผลิตขนาด 1.4 นาโนเมตรซึ่งเป็นรุ่นถัดไปของ SF2 นั้นกำลังอยู่ในขั้นตอนการพัฒนา คาดว่าน่าจะพร้อมเปิดตัวสำหรับ Mass production ในปี 2027

ที่มา: SiliconANGLE