TechTalkThai ศูนย์รวมข่าว Enterprise IT ออนไลน์แห่งแรกในประเทศไทย
Google ได้ประกาศร่วมมือกับ ARM เพื่อออกแบบและทดสอบฟีเจอร์ใหม่ที่ชื่อ Memory Tagging Extension (MTE) เพื่อแก้ไขปัญหาช่องโหว่ในหน่วยความจำของ Android
การปฏิบัติการในครั้งนี้เกิดจากสาเหตุที่ว่าช่องโหว่บน Memory มีอัตราเกิดขึ้นค่อนข้างสูงและตรวจสอบหาสาเหตุได้ยาก (พอสืบกลับไปไม่เข้าใจหรือหายากว่าทำไมถึงเกิด) โดย Google กล่าวว่า “บั๊กใน Memory เกิดขึ้นได้กับ C และ C++ เป็นธรรมดาอยู่แล้ว ซึ่งยังเป็นช่องโหว่ที่พบได้มากและใน Android 9 เองช่องโหว่รุนแรงสูงกว่าครึ่งหนึ่งก็คือช่องโหว่ประเภทนี้”
ทั้งนี้ Google ออกแบบให้ MTE สามารถทำงานได้โดยกระทบกับประสิทธิภาพน้อยที่สุด ซึ่งมีการปฏิบัติการได้ 2 โหมดคือ 1.Precise Mode คือให้ข้อมูลที่เกิด Error หรือช่องโหว่ด้านความมั่นคงปลอดภัย 2.Imprecise Mode คือโหมดที่กินทรัพยากรน้อยกว่าซึ่งพร้อมเปิดใช้งานได้อย่างต่อเนื่อง นอกจากนี้ MTE ยังสามารถตรวจจับช่องโหว่บน Memory ได้ 2 ประเภทคือการเข้าถึง Object ที่อยู่เกินขอบเขตและช่องโหว่ Use-after-free
อย่างไรก็ตาม Google ยังได้มองไปถึงการที่นักพัฒนา Android จะสามารถนำ MTE ไปใช้เพื่อทดสอบในขั้นตอนพัฒนาซอฟต์แวร์ของตนได้ โดย Google ยังชี้ว่าสิ่งที่จะช่วยสนับสนุนให้การใช้งาน MTE กับการ Testing และ Fuzzing ได้ง่ายและเร็วขึ้นก็คือ AddressSanitizer (ASan) และ Hardware-assisted AddressSanitizer (HWASan) โดยนอกจากเรื่องของทดสอบแล้ว Google ยังคาดหวังในเรื่องของการช่วยบรรเทาการโจมตี Memory จากคนร้ายในทางปฏิบัติได้ โดยปัจจุบัน Google กำลังพิจารณา MTE ให้เป็น Requirement พื้นฐานใน Android ด้วย
ผู้สนใจสามารถอ่านเรื่องราวเพิ่มเติมได้จาก Google
ที่มา : https://www.zdnet.com/article/google-arm-team-up-to-develop-new-ways-to-tackle-memory-vulnerabilities/ และ https://www.securityweek.com/google-arm-boost-android-security-memory-tagging-extension
