SK Hynix ประกาศเดินหน้าผลิตชิป HBM3E ความเร็ว 9.2 GT/s แล้ว

SK Hynix ผู้ผลิตชิปหน่วยความจำรายใหญ่จากเกาหลี ได้ออกมาประกาศเดินหน้าโครงการผลิตชิป HBM3E (High-bandwidth memory) เป็นที่เรียบร้อยแล้ว ตามสเปคของ HBM3E known good stack dies (KGSD) จาก SK Hynix นั้นมีความเร็วในการส่งข้อมูล 9.2 GT/s พร้อม Interface 1024-bit และแบนด์วิดท์ขนาด 1.18 TB/s เร็วกว่า HBM3 เกือบสองเท่า โดยใช้เทคโนโลยีการผลิตแบบ Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF) ซึ่งจะช่วยกระจายความร้อนได้ดีขึ้น 10% และช่วยลดความหนาของชั้น HBM ได้
คาดว่า SK Hynix จะเริ่มส่งมอบชิป HBM3E ล็อตแรกได้ในช่วงปลายเดือนนี้ ทำให้ลูกค้าที่กำลังผลิตชิปประมวลผล AI รุ่นใหม่มีทางเลือกมากขึ้น เช่น NVIDIA ที่เพิ่งเปิดตัวชิป Blackwell GPU ออกมา และ AMD ที่อาจมีการเปิดตัวชิป Instinct MI300-Series รุ่นใหม่ในอนาคต ปัจจุบันผู้ผลิตชิปรายอื่นเริ่มหันมาผลิตชิป HBM3E กันมากขึ้นแล้ว เช่น Micron และ Samsung
ที่มา: https://www.anandtech.com/show/21311/sk-hynix-starts-mass-production-of-hbm3e-92-gts
TechTalkThai ศูนย์รวมข่าว Enterprise IT ออนไลน์แห่งแรกในประเทศไทย






