Samsung เผยผลทดสอบ LPDDR5x แตะ 8.5 Gbps

LPDDR5X DRAM ขนาด 14 nm ของ Samsung ได้ผ่านการทดสอบที่ 8.5 Gbps แล้ว

ชิปที่ Samsung ประกาศการทดสอบนี้ผลิตโดยเทคโนโลยีเฉพาะ extreme ultraviolet (EUV) ร่วมกับแพลตฟอร์มล่าสุดของ Qualcomm Snapdragon โดยตัวชิปมีขนาด 14 nm หน่วยความจำ 8GB ซึ่งเมื่อ 5 เดือนก่อนการทดสอบของ Samsung ประสบความสำเร็จที่ 7.5 Gbps เท่านั้น แต่ผลทดสอบใหม่ทะยานสู่ 8.5 Gbps แรงกว่า LPDDR5 DRAM ถึง 1.3 เท่าจาก 6.4 Gbps

โดยชิปประเภทนี้เน้นเรื่องการใช้พลังงานต่ำ ซึ่ง Samsung ได้ใช้การออกแบบพิเศษของตนที่สามารถเพิ่มประสิทธิภาพของสัญญาณ input และ output โดยลดสัญญาณรบกวนระหว่างชิปหน่วยความจำและโปรเซสเซอร์ ทั้งนี้ความต้องการในตลาดกลุ่มเซิร์ฟเวอร์ Automotive และ HPC เป็นส่วนสำคัญที่ผลักดันตลาดชิปกลุ่มนี้

ที่มา : https://www.zdnet.com/article/samsung-verifies-8-5gbps-speed-of-lpddr5x-on-qualcomms-platform/