Intel หวนคืนสังเวียน Memory จับมือ SoftBank พัฒนาเทคโนโลยี ZAM ท้าชน HBM ชิงเค้ก Data Center ยุค AI

หลังจากถอนตัวจากตลาดหน่วยความจำด้วยการยุบแผนก Optane ไปเมื่อ 4 ปีก่อน ล่าสุด Intel ประกาศกลับเข้าสู่สมรภูมิอีกครั้ง โดยจับมือกับบริษัทย่อยของ SoftBank เพื่อพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจำรูปแบบใหม่ที่เรียกว่า ZAM หรือ Z-Angle Memory โดยมีเป้าหมายหลักคือการเข้ามาเป็นทางเลือกใหม่แข่งกับ High Bandwidth Memory หรือ HBM ที่กำลังเป็นคอขวดสำคัญใน Supply Chain ของศูนย์ข้อมูล AI ทั่วโลก

ความร่วมมือครั้งนี้เกิดขึ้นระหว่าง Intel และ Saimemory บริษัทย่อยของ SoftBank ที่ก่อตั้งเดือนธันวาคม 2024 บริษัทนี้ถูกตั้งขึ้นเพื่อโฟกัสการพัฒนาเซมิคอนดักเตอร์สำหรับงานด้าน AI โดยเฉพาะ โครงสร้างการบริหารของ Saimemory ประกอบด้วย Hideya Yamaguchi มือเก๋าประสบการณ์ 40 ปีจาก Toshiba นั่ง CEO และ Stephen Morein อดีตวิศวกรระดับสูงและสถาปนิกด้านซิลิคอนจาก Intel มาเป็น CTO

เทคโนโลยี ZAM นี้มีรากฐานการพัฒนามาจากโครงการ Advanced Memory Technology หรือ AMT ของกระทรวงพลังงานสหรัฐฯ ที่ Intel เรียกว่าโครงการ Next Generation DRAM Bonding ซึ่งมุ่งเน้นการแก้ปัญหาคอขวดในการรับส่งข้อมูล

แม้ข่าวนี้จะสร้างความฮือฮาในวงการฮาร์ดแวร์ แต่ Sanam Masroor ผู้อำนวยการฝ่ายพันธมิตรเชิงกลยุทธ์ระดับโลกของ Intel ระบุผ่าน Blog Post ว่าเส้นทางของ ZAM ยังอยู่อีกยาวไกล โดยแผนการดำเนินงานจะเริ่มเต็มรูปแบบในไตรมาสแรกของปี 2026 คาดว่าจะได้เห็นต้นแบบ ในปี 2027 และกว่าจะเข้าสู่กระบวนการผลิตเชิงพาณิชย์ ได้จริงต้องรอถึงปี 2030

แม้ Intel จะยังไม่เปิดเผยรายละเอียดเชิงลึก แต่รูปแบบการทำงานของ ZAM มีความคล้ายคลึงกับ HBM อย่างมาก กล่าวคือเป็นการวางหน่วยความจำลงบน GPU โดยตรงเพื่อให้เข้าถึงข้อมูลได้ทันที ต่างจาก DRAM ทั่วไปที่ต้องเสียบผ่านสล็อตบนเมนบอร์ด จึงมีความเร็วที่เหนือกว่า DDR ปกติ แต่แลกมาด้วยต้นทุนการผลิตที่สูง ซึ่งปัจจุบันตลาดนี้ถูกครองโดยยักษ์ใหญ่ 3 รายคือ Micron, Samsung และ SK Hynix

ที่มา: https://www.networkworld.com/article/4129624/intel-teams-with-softbank-to-develop-new-memory-type.html