TechTalkThai ศูนย์รวมข่าว Enterprise IT ออนไลน์แห่งแรกในประเทศไทย
Samsung Electronics ได้ออกมาประกาศเปิดตัว Samsung Z-SSD รุ่นใหม่ SZ985 ที่อ้างว่ามีความเร็วสูงถึง 750,000 IOPS เพื่อรองรับงานทางด้าน AI, Big Data, High Performance Computing (HPC) และ Internet of Things (IoT) โดยเฉพาะ
ด้วยชิป Z-NAND ที่มีความเร็วในการอ่านข้อมูลสูงกว่า 3-bit V-NAND ถึง 10 เท่านี้ Samsung ได้ระบุตัวเลขทางด้านประสิทธิภาพของ Samsung SZ985 เอาไว้ว่าจะสามารถทำ Random Read ได้เร็วถึง 750,000 IOPS และทำ Random Write ได้เร็วถึง 170,000 IOPS โดยมี Latency เพียง 16μs ซึ่งถือเป็นตัวเลขที่เร็วกว่า NVMe Drive เสียอีก และมาพร้อมกับ 1.5G LPDDR4 DRAM และ Controller รุ่นใหม่ที่มีประสิทธิภาพสูงกว่าแต่ก่อน
Samsung SZ985 นี้มีตัวเลขความทนทานอยู่ที่ 30DWPD เป็นเวลา 5 ปี หรือเรียกง่ายๆ ว่าสามารถรองรับการเขียนข้อมูลได้ถึง 43PB และมีค่า MTBF อยู่ที่ 2 ล้านชั่วโมง
Samsung SZ985 นี้จะวางจำหน่ายในรุ่นความจุ 240GB และ 800GB ในอนาคต โดยจะถูกนำไปเปิดตัวอย่างเป็นทางการในงาน ISSCC 2018 ที่จะจัดขึ้นในเดือนกุมภาพันธ์ 2018 นี้
ที่มา: http://www.storagereview.com/samsung_introduces_800gb_zssd
